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应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是

来源: 志学网    发布:2023-02-14     [手机版]    
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导读

正确答案:C。A.硒鼓检测器 B.IP成像转换器 C.直接转换平板探测器 D.间接转换平板探测器 E.多丝正比室检测器 更多放射医学技术副高级职称考试的考试资料及答案解析请访问志学网卫生职称考试栏目。

1. [单选题]应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是

A. 硒鼓检测器
B. IP成像转换器
C. 直接转换平板探测器
D. 间接转换平板探测器
E. 多丝正比室检测器


2. [单选题]下列哪一项不是MRI检查的禁忌证

A. 置有心脏起搏器
B. 有碘过敏史
C. 枪炮伤后弹片存留
D. 体内有胰岛素泵
E. 颅脑手术后动脉夹存留


3. [单选题]盆腔CT扫描适应证不包括

A. 前列腺癌
B. 输卵管狭窄
C. 子宫肌瘤
D. 卵巢囊肿
E. 膀胱癌


4. [单选题]耳部冠状位扫描,病人体位应采取

A. 坐位
B. 左侧卧位(lateral recumbent position)
C. 右侧卧位(right lateral position)
D. 俯卧或仰卧
E. 侧斜卧位


5. [单选题]眉心至后发际为( )

A. 18寸
B. 13寸
C. 14寸
D. 15寸
E. 12寸


6. [单选题]哪一个不是图像后理技术

A. MPR
B. MRA
C. SSD
D. MIP
E. VR


7. [单选题]连续X线波谱与管电压的关系是

A. X线总能量随管电压增大将以管电压二次方比例增大
B. 管电压升高,最短波长向长波一侧移动
C. 管电压升高,最强曲线向长波一侧移动
D. 管电压升高,最强波长向长波一侧移动
E. 靶物质原子系数越小,X线总能量越大


8. [多选题]哪项脑血管畸形的描述是正确的

A. 脑血管畸形是蛛网膜下腔出血和脑内出血的重要原因(important reasons)
B. 动静脉畸形常并发出血
C. 动静脉畸形MRI特征性所见是流空现象
D. 较大的动静脉畸形有占位效应
E. 动静脉畸形的引流静脉比供血动脉粗


9. [单选题]充盈良好的胃CT像,胃的哪一部分最厚

A. 胃体前壁
B. 胃体后壁
C. 贲门区
D. 胃窦部
E. 胃底大弯侧


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